Южнокорейская компания SK hynix продолжает удерживать безоговорочное лидерство как в производстве стеков HBM для ускорителей высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта, так и в производстве более доступных для простых людей микросхем памяти NAND, оповестив общественность о переходе к массовому производству первой в мире 321-слойной 4D NAND TLC.
В пресс-релизе упоминается, что повышение количества слоев позволяет увеличить производительность производства памяти на 59% по сравнению с прошлым поколением, повысить скорость передачи данных на 12%, в то время как скорость чтения увеличилась на 13% при 10% снижении энергопотребления, по крайней мере при выполнении операций чтения.
Первые поставки 321-слойных микросхем памяти 4D NAND TLC производства SK hynix ожидаются в первой половине следующего года. Первыми клиентами, которые смогут создать накопители на её основе, станут партнеры, работающие с центрами обработки данных и искусственным интеллектом.
Источник: http://i2hard.ru/publications/36118/